技術(shù)編號(hào):6808930
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及制造半導(dǎo)體器件用的一種爐子以及用這種爐子形成柵氧化層的方法,具體地說(shuō),涉及一種能產(chǎn)生性能有所提高的氧化層并減少熱聚集現(xiàn)象的半導(dǎo)體器件制造用爐,以及用這種爐子形成柵氧化層的方法;提高氧化層質(zhì)量和減少熱聚焦現(xiàn)象的具體措施是先分解保持高溫的源爐子中的N2O,然后令N2O氣與NH3氣在主爐子中在低溫下反應(yīng),使圓片經(jīng)選定的部分氧化。隨著集成度的提高,通常形成MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)器件的柵氧化層變薄。下面參看附圖說(shuō)明圖1和圖2說(shuō)明現(xiàn)有技術(shù)制造半導(dǎo)體器件用...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。