技術(shù)編號(hào):6808800
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。為減小污物對(duì)集成電路(IC)性能的影響,可在IC晶片的背面加一層吸收層,如注入磷。吸收材料捕獲擴(kuò)散在晶片中的雜質(zhì),如鈉或金屬。為使吸收層有效,要求吸收層不被耗盡,即吸收層中的任何電場都不足以大致耗盡至少部分吸收層的電荷。此外,為使吸收有效,吸收層不應(yīng)與IC晶片的任何半導(dǎo)體部分隔離,如由絕緣層隔離。接合晶片技術(shù),一種介電隔離形式,向現(xiàn)有吸收技術(shù)提出了挑戰(zhàn)。在一普通的接合晶片中,有源和無源器件被制作在一工作半導(dǎo)體層上,絕緣層將其與用作承載層并支持工作層的半導(dǎo)體...
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