技術(shù)編號(hào):6808788
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件場(chǎng)氧化層的一種形成方法,特別涉及一種通過(guò)消除局部熱氧化工序產(chǎn)生的鳥(niǎo)嘴形疵點(diǎn)能增加有源區(qū)的。通常,形成場(chǎng)氧化層的目的是將各半導(dǎo)體器件彼此隔離開(kāi)來(lái)。下面參看附圖說(shuō)明圖1說(shuō)明現(xiàn)有技術(shù)形成場(chǎng)氧化層的方法。熱氧化層組成的場(chǎng)氧化層4是這樣形在的在硅基片1上依次形成氧化墊層2和氮化層3,再蝕刻氧化墊層2和氮化層3經(jīng)選定的部分,然后進(jìn)行熱氧化處理。這種現(xiàn)有技術(shù)有這樣的缺點(diǎn),即有源區(qū)隨著氧化層往氮化層3底下的滲入產(chǎn)生的鳥(niǎo)嘴形部分“A”而變小。因此,本發(fā)明...
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