技術編號：6806468
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及具有歐姆電極的氮化鎵Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體器件及其制造方法。近年來，采用GaN、GaAlN、InGaN、InAlGaN等氮化鎵系Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料的發(fā)光器件備受關注。這類發(fā)光器件通常具有在基片上將n型氮化鎵系化合物半導體層與摻P型摻雜劑的氮化鎵系化合物半導體層的疊層結構。已往，摻P型摻雜劑的氮化鎵Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體層仍是高電阻率i型，因而，已有的器件就是所謂的MIS結構。最近，將高電阻率i型層轉化為低電阻率P型層的技術，例如已被特開平2-2...
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