技術(shù)編號(hào)：6804675
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種在絕緣基片上形成的電子電路，它有薄的硅半導(dǎo)體層，例如形成薄膜晶體管，此薄的半導(dǎo)體層要與導(dǎo)電的互連線連接。常規(guī)的薄膜器件，例如絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FETS)用薄的硅半導(dǎo)體膜作為有源層。此有源層厚約1500 。因此，若在這薄的半導(dǎo)體膜上要形成電極，通過(guò)使金屬，例如鋁與膜直接緊密地接觸，就能獲得良好的接觸，現(xiàn)有的IC制造技術(shù)即用這種方法。在這些接觸點(diǎn)中，通常通過(guò)在鋁和半導(dǎo)體部分例如硅之間的化學(xué)反應(yīng)形成硅化物，例如硅化鋁。由于半導(dǎo)體層比硅化物層厚得...
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