技術(shù)編號：6804619
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路器件的電極結(jié)構(gòu)。近年來，為制備高集成度的半導(dǎo)體電路器件，已要求開發(fā)微細(xì)加工的實(shí)用的半導(dǎo)體功能元件，諸如其柵長的亞微量米量級的MOS晶體管。更具體地說，對柵長為0.8μm的MOS晶體管，其元件所占有的面積大約為20μm2，其結(jié)構(gòu)適合于更高的集成度。然而，即使半導(dǎo)體功能元件可以更精細(xì)地加工以實(shí)現(xiàn)更高的集成高度，也難于在保持高成品率的同時(shí)，得到所期望的好的特性。這一點(diǎn)在現(xiàn)有技術(shù)中已被考慮成是有關(guān)半導(dǎo)體功能元件構(gòu)成的問題。也就是說，人們已深...
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