技術編號：6804518
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種具有溝道終止結構的半導體器件以及溝道終止結構的制造方法。背景技術 常規(guī)低壓n溝道金屬氧化物半導體(nMOS)晶體管的布局如圖1和2所示。n+襯底2具有在其頂部生長的n外延層4。p阱6形成在襯底2的第一主表面8上和外延層4上方。在第一主表面8上的溝道區(qū)10具有形成在其上的柵極氧化物12。多晶硅柵極16設置在柵極氧化物12上。如所理解到的，一般情況下，在襯底上提供一個以上的晶體管，因此必須將其中一個晶體管與相鄰晶體管隔離。用于此目的的常規(guī)結構具有...
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