技術編號:6804066
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。本實用新型涉及一種大電流半導體器件,屬于半導體器件。由于低頻大電流半導體器件的內引線多為一根粗線,所以極易出現內引線燒斷現象,斷點多是與芯片鍵合處,其原因是因為芯片工作時表面溫度高,鍵合處流匯聚電流密度大,接觸電阻與內引線電阻的焦耳熱合并作用使鍵合點的溫度高于非鍵合點,致使鍵合點熱疲勞,并由此誘發(fā)二次擊穿,甚至形成熔洞。本實用新型旨在克服已有技術的缺點,提供一種散熱好使用壽命長的大電流半導體器件。半導體器件由導熱載體、電極、芯片、內引線及包封物組成。其中的...
注意:該技術已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權人授權前,僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權,增加技術思路,做技術知識儲備,不適合論文引用。