技術(shù)編號：6802601
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種提高n型銦鎵砷(In0.53Ga0.47As)吸收層上的肖特基勢壘高度，以便獲得低暗電流的光電探測器，屬于微電子學(xué)光電子。在金屬-半導(dǎo)體-金屬平面結(jié)構(gòu)的In0.53Ga0.47As光電探測器中，其關(guān)鍵技術(shù)之一就是設(shè)計一個合適的肖特基勢壘增強(qiáng)層。在現(xiàn)有文獻(xiàn)中(附后)，肖特基勢壘增強(qiáng)層一般可分為以下三類(1)晶格匹配增強(qiáng)層如AllnAs層和摻Fe的InP層;(2)不匹配型的應(yīng)力層如GaAs層和AlGaAs層;(3)絕緣介質(zhì)層，如SiO2層等。由于...
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