技術(shù)編號(hào):6801216
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明與由熔體用邊緣限定薄層供料生長(zhǎng)法(EFG)生長(zhǎng)晶體的設(shè)備有關(guān),具體有關(guān)這種設(shè)備的新穎導(dǎo)模。在邊緣限定薄層供料生長(zhǎng)技術(shù)(即EFG法)中,原料的液膜在晶種上生長(zhǎng)成管形晶體,例如圓形或多邊形截面的空心晶體,利用毛細(xì)管作用,通過(guò)導(dǎo)模中的一個(gè)或多個(gè)毛細(xì)管,將原料從熔融硅的坩堝輸送到導(dǎo)模的端面或上端表面。晶體的形狀取決于導(dǎo)模最高表面或上端表面的外形或邊緣形狀。用EFG法生長(zhǎng)的諸如九邊形或八邊形等的多邊形空心體,在其角部處分割成若干平坦的用于制造太陽(yáng)能伏打電池的基...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。