技術(shù)編號(hào)：6799124
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及集成電路和它們的制造方法。VLSI非易失性存儲(chǔ)器和其它高壓集成電路通常應(yīng)用兩層多晶硅，兩層多晶硅之間有一種適當(dāng)?shù)慕^緣層以滿足在經(jīng)受高電場(chǎng)時(shí)僅有很低漏電流的要求，通常，多晶硅層是大約在620℃溫度下用LPCVD法沉積的，而絕緣層可以是在多晶硅1上的熱生長(zhǎng)的氧化物，或者它也可以是氧化物/氮化物/氧化物的復(fù)合薄膜層。在許多種集成電路結(jié)構(gòu)中，特別是象EPROM和EEPROM這種非易失性存儲(chǔ)器中，多晶硅-多晶硅電容器中多晶硅和絕緣層交界面的平滑度是非常關(guān)鍵...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。