技術(shù)編號：6799017
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明為一種耐高電壓的場效應(yīng)功率晶體管固體組件(以下簡稱固體組件)，它是由若干個(gè)互相串聯(lián)的VMOS增強(qiáng)型場效應(yīng)功率晶體管以及均壓和提供各串聯(lián)場效應(yīng)管的柵極偏壓的電阻網(wǎng)絡(luò)共同構(gòu)成并封裝于一體而制成的，其耐壓可達(dá)萬伏以上，額定輸出電流為數(shù)安培。目前半導(dǎo)體器件的工藝水平，單個(gè)雙極型晶體管或單個(gè)VMOS場效應(yīng)晶體管的耐壓已達(dá)到1000～2000伏。在電壓高于2000伏的應(yīng)用場合，例如放大、振蕩、穩(wěn)壓、穩(wěn)流，單個(gè)晶體管已無法勝任，一般由電子管來擔(dān)任。如高頻爐中的振蕩...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。