技術(shù)編號(hào)：6798273
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體集成電路制造工藝，具體涉及到利用化學(xué)汽相淀積(CVD)TiSiN阻擋層和Cu金屬薄膜，并在N2和H2氣氛中，對(duì)CVD淀積Cu金屬薄膜進(jìn)行退火處理，結(jié)合Cu化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝，實(shí)現(xiàn)Cu大馬士革互聯(lián)結(jié)構(gòu)?，F(xiàn)階段集成電路互聯(lián)主要是采用Al金屬布線，金屬布線在傳輸電信號(hào)的過程中，本身有串聯(lián)電阻和寄生電容存在。隨著器件設(shè)計(jì)規(guī)則的不斷縮小，線寬W不斷變小，同時(shí)，集成度的增加造成互聯(lián)線長(zhǎng)度進(jìn)一步加長(zhǎng)，從而導(dǎo)致互聯(lián)線電阻的急劇上升。另一方面，金屬布...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。