技術(shù)編號：6792093
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種，屬于半導(dǎo)體。背景技術(shù)三元合金AlGaN基材料具有直接寬帶隙、熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)，是制備紫外以及深紫外探測器的理想材料，尤其是在對深紫外光的探測方面，AlGaN基深紫外探測器與現(xiàn)有的Si探測器和光電倍增管相比獨(dú)具優(yōu)勢，主要體現(xiàn)=AlGaN基材料通過調(diào)節(jié)Al組分可以實(shí)現(xiàn)禁帶寬度在3.4 6.2eV之間連續(xù)可調(diào)，因此AlGaN基紫外探測器能夠?qū)崿F(xiàn)對200 365nm紫外以及深紫外光的本征探測，不僅避免了 Si探測器中復(fù)雜的濾光系統(tǒng)的使用...
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