技術編號：6791964
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及微電子領域，尤其涉及。背景技術單一 BJT(Bipolar Junction Transistor,雙載子晶體管電路)中已經(jīng)有很多寄生三極管的制備工藝，然而隨著半導體設計與工藝的高速發(fā)展要求，如果能集成更多功能的晶體管，并集中了單、雙極型器件的優(yōu)點，才能滿足射頻芯片越來越多的功能應用需求。SiGe BiCMOS (硅鍺雙載子互補金氧半導體)工藝就集合了 CMOS (互補金屬氧化物半導體)和三極管的射頻性能而越來越應用于射頻電路中。SiGe BiC...
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