技術(shù)編號(hào)：6791073
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造，尤其涉及一種降低在沉積非晶碳膜(APF)時(shí)晶圓背面金屬污染的方法。背景技術(shù)集成電路尤其是超大規(guī)模集成電路中的主要器件是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(metal oxide semiconductor field effect transistor,簡稱 MOS 晶體管)。其幾何尺寸一直在不斷縮小，隨著器件尺寸的不斷縮小，鋁互連早已被銅互連所取代，柵極使用的硅化物從鎢化物、鈦化物、鈷化物一路發(fā)展到鎳化物，甚至金屬柵(Al2O3, T...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。