技術(shù)編號：6790531
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及的是一種適合鋁鎵氮化合物/氮化鎵高電子遷移率晶體管的具有高熱穩(wěn)定性的AlGaN/GaN HEMT制造方法。背景技術(shù)鋁鎵氮化合物/氮化鎵高電子遷移率晶體管作為第三代寬禁帶化合物半導(dǎo)體器件具有輸出功率大、工作頻率高、耐高溫等特點，適合毫米波及以下各個頻段的大功率應(yīng)用，這使得其成為近年來半導(dǎo)體微波功率器件研究的熱點。輸出功率方面，目前公開的小尺寸 AlGaN/GaN HEMT 的輸出功率密度可達(dá) 30W/mm 以上(Wu et al.1EEE Elec...
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