技術編號：6790196
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明屬于半導體裝置領域，尤其涉及一種垂直雙擴散場效應管及其制造工藝。背景技術垂直雙擴散場效應管(verticaldouble-diffusionMOS，VDMOS)兼具雙極晶體管和普通MOS器件的優(yōu)點，具有接近無限大的靜態(tài)輸入阻抗特性和非常快的開關時間，因此無論是開關應用還是線性應用，都是理想的功率器件，可以主要應用于電機調(diào)速、逆變器、不間斷電源、電子開關、高保真音響、汽車電器和電子鎮(zhèn)流器等。但現(xiàn)有的垂直雙擴散場效應管的制造工藝中一般將墊積多晶硅(Pol...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權(quán)，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。