技術(shù)編號：6789927
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明一般涉及CMOS半導體器件制造工藝，更確切的說，涉及一種U型溝槽的制造方法。背景技術(shù)隨著半導體制作工藝的日益提升以及CMOS半導體器件工藝的發(fā)展，半導體器件的比例尺寸不斷縮小，為滿足器件性能提高需要引入應(yīng)力硅工程。目前在PMOS上比較通用應(yīng)力硅工程是SiGe工藝，SiGe工藝具有優(yōu)異的射頻性能，更由于其較高的性價比，被廣泛應(yīng)用于移動通信、衛(wèi)星定位和RFID (Radio Frequency IDentification,無線射頻識別)等市場；SiGe...
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