技術(shù)編號：6789924
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種提高PMOS柵氧負偏壓溫度不穩(wěn)定性的方法。背景技術(shù)目前，在半導體器件工藝過程中，通常會在B離子注入形成PMOS源漏后，會使用BF2取代B進行源漏注入(由于氟可以在Si02/Si界面形成較強的S1-F-H鍵，通過減少S1-H鍵，能明顯減少柵極氧化層表面的界面的陷阱Qit)，使得摻雜在BF2中的少量F離子能夠穿透至柵極，以減少Si02/Si界面的陷阱，進而有效改善NBTI的性能。但是，隨著工藝的發(fā)展，對器件的性能要求越來越...
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