技術(shù)編號：6789430
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體集成電路制造領(lǐng)域，具體來說涉及一種PMOS管的摻雜方法。背景技術(shù)在半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域，PMOS晶體管是各種電路的基礎(chǔ)單元之一。隨著信息技術(shù)的發(fā)展，對于信息數(shù)據(jù)的處理速度要求越來越高，對其中采用的PMOS晶體管的頻率響應(yīng)特性要求也越來越高。然而，PMOS晶體管的寄生電容隨著工作頻率的升高起到越來越大的負(fù)面作用，如何減小這些寄生電容對PMOS運(yùn)算放大器的影響，已經(jīng)成為提高PMOS晶體管頻率響應(yīng)特性的關(guān)鍵。請參照圖1，其為現(xiàn)有技術(shù)中制造PMOS晶...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。