技術編號：6788833
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體器件領域，具體是指一種帶有P型氮化鎵埋層的垂直氮化鎵基異質(zhì)結(jié)場效應晶體管。背景技術氮化嫁基異質(zhì)結(jié)場效應晶體管(GaN Heterojunction Fiele-EffectTransistor，GaN HFET)不但具有禁帶寬度大、臨界擊穿電場高、電子飽和速度高、導熱性能好、抗輻射和良好的化學穩(wěn)定性等優(yōu)異特性，同時氮化鎵(GaN)材料可以與鋁鎵氮(AlGaN)等材料形成具有高濃度和高遷移率的二維電子氣異質(zhì)結(jié)溝道，因此特別適用于高壓、大功率和...
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