技術(shù)編號：6788579
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種溝槽型半導(dǎo)體功率器件和其中的終端保護(hù)結(jié)構(gòu)、以及溝槽型半導(dǎo)體功率器件的制造方法。背景技術(shù)隨著功率MOS器件工藝和設(shè)計的不斷成熟，國內(nèi)外功率MOS器件的競爭也越來越激烈，降低器件的成本、提高器件的性能及可靠性也越來越迫切。在不影響器件性能的前提下，減少器件制造工藝中的光刻次數(shù)和縮小芯片的尺寸是降低器件成本的兩個重要手段。在功率MOS器件的發(fā)展過程中，為了降低成本，通常采用專利號為ZL200710302461.4的中國發(fā)明專利公開的一種基于四次光刻...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。