技術(shù)編號：6788331
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于超導(dǎo)電工，涉及一種用于磁控直拉單晶用MgB2超導(dǎo)磁體。背景技術(shù)目前，生產(chǎn)單晶硅的方法主要有直拉法、區(qū)熔法，直拉法生產(chǎn)的單晶硅占世界單晶硅總量的70%以上。進(jìn)入超大規(guī)模集成電路時(shí)代以來，大直徑硅單晶一直是熱門的研發(fā)課題。但是，隨著晶體尺寸的增大，熔體的熱對流增強(qiáng)，氧和摻雜劑的分布均勻性大受影響。為了解決這些問題，逐步發(fā)展了磁場直拉單晶技術(shù)(MCZ)。通過在直拉法(CZ法)單晶生長的基礎(chǔ)上對坩堝內(nèi)的熔體施加強(qiáng)磁場，使熔體的熱對流受到抑制。由于熔體硅具...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。