技術(shù)編號(hào):6787725
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及復(fù)雜半導(dǎo)體裝置以及此類(lèi)裝置的制造,尤其涉及在替代柵極結(jié)構(gòu)上方形成柵極覆蓋層的多種方法以及具有此類(lèi)柵極覆蓋層的多種裝置。背景技術(shù)制造例如CPU (中央處理單元)、儲(chǔ)存裝置、ASIC (專(zhuān)用集成電路)等先進(jìn)集成電路需要依據(jù)特定的電路布局及特定的流程操作在給定的芯片面積上形成大量電路組件,場(chǎng)效應(yīng)晶體管(NM0S及PMOS晶體管)是制造此類(lèi)集成電路產(chǎn)品中使用的一種重要類(lèi)型的電路組件。場(chǎng)效應(yīng)晶體管,無(wú)論是NMOS晶體管還是PMOS晶體管,通常由形成于半導(dǎo)體...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。