技術(shù)編號：6787434
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體的制作領(lǐng)域，具體地說是。背景技術(shù)晶圓的減薄工藝在一些先進的技術(shù)有很廣的應(yīng)用，如3D IC (三維集成電路)、背照式影像傳感器等等。晶圓的上部用于導(dǎo)通各個晶圓，研磨工藝使用在晶圓的背部(與所述上部相對的面上)，該研磨包括機械研磨和化學(xué)研磨。然而，其晶圓背部的平坦化是個巨大的挑戰(zhàn)。目前對晶圓的背部的減薄采用的是機械研磨，但是采用機械研磨存在很多的弊端，例如難以將晶圓的厚度減薄至2um，并且采用機械研磨容易造成缺陷，如劃傷等。晶圓的邊沿的主要成分...
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