技術編號：6786861
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及發(fā)光二極管、激光二極管等的GaN類半導體發(fā)光元件。背景技術具有作為VA族元素的氮(N)的氮化物半導體，基于其帶隙(band-gap)的大小，作為短波長發(fā)光元件的材料被寄予厚望。其中，對含有作為IIIA族元素的Ga的氮化鎵類化合物半導體(GaN類半導體AlxGayInzN(0≤x,y,z≤l>x+y+z = I)的研究廣泛進行,藍色發(fā)光二極管(LED)、綠色LED、以及以GaN類半導體為材料的半導體激光器也得以實用化。GaN類半導體具有纖鋅礦...
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