技術(shù)編號(hào)：6784758
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的制造工藝方法，特別是涉及一種。背景技術(shù) 反窄溝道效應(yīng)(RNCE)是指在STI(shallow trench isolation淺溝槽隔離)隔離工藝下，器件的閾值電壓隨溝道寬度的減小而遞減的效應(yīng)。該效應(yīng)是制約小尺寸器件應(yīng)用的重要因素之一，例如在靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)單元電路中，大多數(shù)器件都是窄溝道的，由于閾值電壓的衰減，有時(shí)不得不采用專門的單元溝道注入，這不但需要增加掩膜板，使工藝復(fù)雜化，而且增大了制作成本。為了減小RNCE，目...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。