技術(shù)編號：6783444
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明是有關(guān)于一種存儲器制程參數(shù)的調(diào)整方法，且特別是有關(guān)于一種靜態(tài)隨機存取存儲器的最小操作電壓的調(diào)整方法。 背景技術(shù)靜態(tài)隨機存取存儲器(Static Random Access Memory, SRAM)是一種常見的隨 機存取存儲器。其特點在于只要持續(xù)供電給該靜態(tài)隨機存取存儲器，儲存在靜態(tài)隨機存取 存儲器中的數(shù)據(jù)就不會消失。這個不同于動態(tài)隨機存取存儲器(Dynamic Random Access Memory, DRAM)需要周期性地更新(re-flash...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)無源代碼，用于學習原理，如您想要源代碼請勿下載。