技術(shù)編號：6783295
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路，更具體地，涉及設(shè)置有DRAM(動 態(tài)隨機(jī)存儲器)的存儲器單元的半導(dǎo)體集成電路。背景技術(shù)近年來，DRAM (動態(tài)隨機(jī)存儲器)已經(jīng)普遍地在半導(dǎo)體集成電 路中用作儲存器件。在DRAM中，通過將電荷儲存在存儲器單元中的 每個(gè)的電容器中來將數(shù)據(jù)記錄在存儲結(jié)點(diǎn)中，并且經(jīng)由柵極晶體管在 位線和儲存結(jié)點(diǎn)之間進(jìn)行數(shù)據(jù)交換。為了如上所述執(zhí)行數(shù)據(jù)交換，而 且即使儲存在儲存結(jié)點(diǎn)中的數(shù)據(jù)具有基本上與在DRAM中的電源電壓 VDD的相同電壓數(shù)據(jù)交換也不會失敗...
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