技術(shù)編號(hào):6782657
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置及其操作方法。背景技術(shù)即使提供的功率被中斷,可被電擦除且可被電編程的非易失性存儲(chǔ)裝置 仍可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。非易失性存儲(chǔ)裝置的代表性示例是閃存。構(gòu)成閃存的存儲(chǔ)單元(memory cell)可包括單元晶體管,所述單元晶體管 具有控制柵極、浮置柵極、源極和漏極。閃存的單元晶體管可根據(jù) Fowler-Nordheim(F-N)隧穿機(jī)理被編程或擦除??赏ㄟ^(guò)將地電壓施加到單元晶體管的控制柵極并將高于電源電壓的電壓 施加到半導(dǎo)體基底(或體(bulk)...
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