技術(shù)編號：6780247
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及存儲器的操作方法，尤其是指可實(shí)現(xiàn)低功耗的相變存儲器的擦寫方法。本發(fā)明屬于微納電子學(xué)。 背景技術(shù) 相變存儲器技術(shù)是基于Ovshinsky在20世紀(jì)60年代末(Phys.Rev.Lett.，21，1450～1453，1968)70年代初(Appl.Phys.Lett.，18，254～257，1971)提出的相變薄膜可以應(yīng)用于相變存儲介質(zhì)的構(gòu)想建立起來的，是一種價格便宜、性能穩(wěn)定的存儲器件。相變存儲器可以做在硅晶片襯底上，其關(guān)鍵材料是可記錄的相變薄膜...
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