技術編號：6778556
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明實施例一般地涉及一種半導體存儲器件。具體地，本發(fā)明實施 例涉及一種。本發(fā)明要求2006年9月27日遞交的韓國專利申請No. 10-2006-0094155的優(yōu)先權，通過引用將其公開全部結合在本文中。背景技術相變存儲器件使用能夠穩(wěn)定地在無定形相和結晶相之間轉換的相變 材料(例如，硫族化物)來存儲數(shù)據(jù)。無定形和結晶相(或態(tài))表現(xiàn)出不 同的電阻值，用于區(qū)分存儲器件中的存儲單元的不同邏輯狀態(tài)。具體地， 無定形相表現(xiàn)出相對較高的電阻，以及結晶相表現(xiàn)出相對較低的...
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