技術(shù)編號：6776999
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導體存儲器裝置，更具體而言，涉及一種半導體存儲器裝置的 存儲單元及其控制電路。背景技術(shù)常規(guī)的動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)包括許多存儲單元，每個存儲單元包括一個 晶體管和一個電容器以便存儲數(shù)據(jù)。但是，具有這些存儲單元的普通結(jié)構(gòu)并不適合降低存 儲核心區(qū)域的面積，使得在提高半導體存儲器裝置的集成度時存在技術(shù)上的限制。因此， 已經(jīng)開發(fā)了一種用于將存儲單元的晶體管和電容器實施為一個晶體管的浮動體單元(FBC， Floatingbody cell)技...
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