技術(shù)編號(hào)：6776004
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明總的涉及相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，更具體地，本發(fā)明涉及相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的字線電壓的控制。本發(fā)明要求于2005年10月15日在韓國(guó)專利局提交的申請(qǐng)?zhí)朜o.10-2005-0097269的韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用并入這里。背景技術(shù) 相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(PRAM)，也被認(rèn)為是Ovonic統(tǒng)一存儲(chǔ)器(OUM)，包括對(duì)能量(例如熱能)敏感以在晶態(tài)和非晶態(tài)之間穩(wěn)定地轉(zhuǎn)換的相變材料，例如硫族化合物合金。例如在美國(guó)專利No.6,487,113和6,480...
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