技術(shù)編號：6775872
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體設(shè)計技術(shù)，并且尤其涉及一種使用磁性隧道結(jié)器件(MTJ) 的半導(dǎo)體存儲設(shè)備。背景技術(shù)通常，動態(tài)隨機存取存儲(DRAM)設(shè)備和靜態(tài)隨機存取存儲(SRAM)設(shè)備都是易失 性存儲設(shè)備，當其未被加電時會丟失在存儲單元中所存儲的數(shù)據(jù)。因此，已經(jīng)積極地進行研 究，以開發(fā)非易失性存儲設(shè)備。在新開發(fā)的存儲設(shè)備之中，磁性隨機存取存儲(MRAM)作為 下一代半導(dǎo)體設(shè)備受到關(guān)注，這是因為MRAM設(shè)備不僅具有非易失性特性，而且還具有高集 成度、高速工作以及低功耗...
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