技術(shù)編號(hào)：6775836
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開一般涉及非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)設(shè)備。更具體地，本公開涉及具有 自適應(yīng)控制方案的多層非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)設(shè)備。背景技術(shù)計(jì)算機(jī)或微處理器控制的系統(tǒng)使用電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)設(shè)備，其優(yōu)選地具有高密度、高性能并且占據(jù)日益減小的面積。 為了獲得較大容量的NAND閃速存儲(chǔ)設(shè)備，堆棧存儲(chǔ)單元陣列的方法正在 發(fā)展之中。三維(3D)存儲(chǔ)器陣列包括兩層或多層存儲(chǔ)材料，每層存儲(chǔ)材料 具有存儲(chǔ)單元的陣列。由于存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)被做成是多層的，因此存在存儲(chǔ)單元的閾值電壓...
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