技術(shù)編號：6774845
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明通常涉及一種半導體元件，具體涉及非易失性存儲器的編程及擦除操作。背景技術(shù) 圖1A及圖1B都顯示一種電荷陷獲存儲器單元，包括一襯底170、第一載流終端(current-carrying terminal)150、第二載流終端160、底氧化層140、電荷陷獲結(jié)構(gòu)130、頂氧化層120及柵極110。圖1A及圖1B顯示在電荷陷獲結(jié)構(gòu)的不同部分進行高門限狀態(tài)建立的電荷陷獲存儲器單元。代表性的頂氧化層包含厚度約為50至100埃的二氧化硅及氮氧化硅，或其他包含如三...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)無源代碼，用于學習原理，如您想要源代碼請勿下載。