技術(shù)編號：6774560
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種相變存儲器件，具體涉及一種能夠根據(jù)操作模式改變驅(qū)動電壓的相變存儲器件。本申請要求于2005年7月13日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請No.10-2005-0063273的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容通過引用并入這里。背景技術(shù) 相變隨機存取存儲器(PRAM)又稱為Ovonic統(tǒng)一存儲器(Ovonic UnifiedMemory，OUM)，包括諸如硫?qū)倩?chalcogenide)合金之類的相變材料，該材料對于能量(例如熱能)敏感，從而在結(jié)晶狀態(tài)和非...
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