技術(shù)編號(hào):6774559
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,并涉及確定用于從這種存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元讀出數(shù)據(jù)的讀取電壓的方法。背景技術(shù) 通過(guò)提高每個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)的位數(shù)可增大閃存(flash memory)的存儲(chǔ)容量。氮化物可編程只讀存儲(chǔ)器(NROM)單元為每個(gè)單元能存儲(chǔ)兩位的非易失性存儲(chǔ)單元。圖1示出了本領(lǐng)域中已知的NROM單元的截面視圖。在存儲(chǔ)器中,單元的柵G將連接到字線,兩個(gè)源/漏區(qū)S/D將連接到位線。柵G下方為所謂的ONO層,該層包含夾在頂部氧化物層TO和底部氧化物層BO之間的氮化...
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