技術編號：6774051
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體裝置。背景技術 以往，作為半導體裝置的一例，已知有DRAM(Dynamic RandomAccess Memory)。這種DRAM例如公開在特開平8-339681號公報中。在上述特開平8-339681號公報所公開的DRAM中，在數(shù)據(jù)的讀出時，為了對從存儲器單元的電容器向比特線讀出的、對應于數(shù)據(jù)“1”的電位和參考電位的電位差比對應于數(shù)據(jù)“0”的電位和參考電位的電位差還小的現(xiàn)象進行補償，通過同時升高對應于比特線的數(shù)據(jù)“1”的電位和對應于數(shù)據(jù)“0...
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