技術(shù)編號(hào)：6772827
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種非易失性儲(chǔ)存單元結(jié)構(gòu)，尤其設(shè)計(jì)一種分裂柵快閃存儲(chǔ)單元的編 程驗(yàn)證方法。背景技術(shù)在現(xiàn)有的分離柵快閃存儲(chǔ)器中，可通過(guò)將電子儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器的浮柵進(jìn)行編程。在 特定的偏壓條件下，半導(dǎo)體襯底內(nèi)的電子可隧穿設(shè)置于浮柵與半導(dǎo)體襯底之間的一薄的 氧化層，以運(yùn)行電荷儲(chǔ)存在浮柵內(nèi)。所述隧穿電子可以通過(guò)現(xiàn)有的熱電子(channel hot electrons, CHE)方式或福樂(lè)諾漢隧穿(Fowler Nordheimtunneling)方式產(chǎn)生。一般地，現(xiàn)有分離柵...
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