技術(shù)編號：6772800
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明是有關(guān)于一種，且特別是有關(guān)于一種具有多階存 儲單元(Multi-Level Cell ；MLC)的閃存的。背景技術(shù)閃存(flash memory)，是非揮發(fā)性存儲器的一種，不需電力來維持其所儲存的資 料。閃存可分為或非門閃存(NOR Flash Memory)和與非門閃存(NAND Flash Memory)兩種。 此外，依據(jù)每個存儲單元所能儲存的位的數(shù)目的多寡，閃存被區(qū)分為單層存儲單元(Single Level Cell，SLC)閃存和多階存儲單元...
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