技術(shù)編號：6772063
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及具有多個(gè)磁性層并利用自旋矩磁化反轉(zhuǎn)進(jìn)行記錄的存儲元件和存儲設(shè)備。背景技術(shù)隨著從移動終端到大容量服務(wù)器的各種信息裝置的快速發(fā)展，在諸如存儲元件和邏輯元件的元件中追求諸如高集成度、高速度、低功耗的進(jìn)一步的高性能化。特別地，半導(dǎo)體非易失性存儲器有了顯著的進(jìn)步，并且作為大容量文件存儲器，閃存已經(jīng)被廣泛使用，而且有排除硬盤驅(qū)動器的趨勢。同時(shí)，著眼于代碼存儲器或工作存儲器的開發(fā)，作為目前常用的NOR閃存、DRAM等的替代物，F(xiàn)eRAM(鐵電隨機(jī)存取存儲器)、...
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