技術(shù)編號：6771827
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及存儲器設(shè)計，特別涉及源線偏置電路及存儲器。 背景技術(shù)存儲器(例如，快閃存儲器Flash Memory)的存儲單元通常包括四個引線位線 (BL, Bit-Line)、字線(WL，Word-Line)、源線(SL，Source-Line)和基線(SBL，Sub-Line), 分別對應(yīng)耦接MOS晶體管的漏極、柵極、源極和基極。一般，在對存儲器的存儲單元進行編程(program)操作時，需要將源線的電壓偏置到高電壓；而在讀操作時，需要將源線的電壓偏置到低...
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