技術(shù)編號(hào)：6771793
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及通過自旋注入磁化反轉(zhuǎn)(spin injection magnetization reversal) 進(jìn)行信息記錄的非易失性磁性存儲(chǔ)元件和磁性存儲(chǔ)器。背景技術(shù)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)是能夠高速運(yùn)行的高密度記錄存儲(chǔ)器，其廣泛用作如計(jì)算機(jī)等各種信息裝置中的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。然而，DRAM是在斷電時(shí)將會(huì)丟失信息的易失性存儲(chǔ)器。因此，期望將一種與DRAM具有相當(dāng)性能且不會(huì)丟失信息的非易失性存儲(chǔ)器投入到實(shí)際應(yīng)用中。作為非易失性存儲(chǔ)器的一種選擇，基于磁性材...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
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