技術(shù)編號：6771168
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本實施方式涉及半導體存儲裝置。 背景技術(shù)近年，使用了 NAND閃存的所謂SSD (Solid State Drive 固態(tài)硬盤)的存儲裝置出現(xiàn)，并在便攜設(shè)備、筆記本電腦、企業(yè)級服務器等廣泛的范圍內(nèi)得到普及。NAND閃存作為半導體存儲器具有低成本、大容量的特點。但是，NAND閃存需要在寫入前進行擦除動作，存在有改寫(擦除)次數(shù)上有限制 (例如1萬次左右)的問題。另外，寫入必須以頁面為單位(例如I字節(jié))，擦除必須以塊為單位(例如IM字節(jié))來進行。為了解決上述問...
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