技術(shù)編號(hào)：6770885
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例涉及半導(dǎo)體集成電路裝置，更具體而言，涉及具有能夠減小半導(dǎo)體集成電路裝置的平面面積的配置的半導(dǎo)體集成電路裝置。背景技術(shù)通常，NAND快閃存儲(chǔ)器利用隧道效應(yīng)將電荷儲(chǔ)存到浮置柵極中，或者通過將儲(chǔ)存在浮置柵極中的電荷放電至溝道來執(zhí)行編程或擦除操作。編程操作和擦除操作由于滿足保存儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)所需的條件而適合于非易失性存儲(chǔ)器。由于快閃存儲(chǔ)器具有高集成度、低功耗、以及針對(duì)外部影響的高耐久性，因此其已被廣泛用于移動(dòng)設(shè)備以及各種其它應(yīng)用的輔助存儲(chǔ)設(shè)備?？扉W存...
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