技術(shù)編號：6770865
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及微電子領(lǐng)域，尤其涉及一種阻變存儲器單元的編程或擦除方法及裝置。背景技術(shù)隨著現(xiàn)代信息技術(shù)的飛速發(fā)展，傳統(tǒng)的Flash存儲器已經(jīng)不能滿足人們對大容量、低功耗存儲的需求。阻變存儲器單元(RRAM)由于具有結(jié)構(gòu)簡單、功耗低、密度高、操作速度快、與CMOS工藝兼容和易于3D集成等優(yōu)點而受到廣泛的關(guān)注，是最有前途的下一代非揮發(fā)存儲器之一。盡管如此，圖I所示的阻變存儲器單元的阻變參數(shù)(如\et、VEeset電壓) 的離散分布卻是其走向?qū)嵱没囊粋€瓶頸。為了改善...
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