技術(shù)編號：6769853
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體存儲裝置，特別是涉及將隧道磁電阻(TMP)元件作為存儲元件使用的磁存儲裝置(MRAM磁隨機(jī)存取存儲器)。 背景技術(shù) 近年來，作為信息存儲元件，提出了利用隧道磁電阻效應(yīng)(以下稱為TMR)的MRAM存儲單元。圖33表示按照已有技術(shù)的半導(dǎo)體存儲裝置的等效電路圖。圖34表示TMR元件的概略斷面圖。如圖33所示，位線26和字線27、28相互正交配置，在位線26和寫入字線27的交點(diǎn)配置TMR元件25。該TMR元件25的一端部連接位線26，另一端部連接晶...
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